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Wide-band gap semiconductor device integration and system
Team Introduction

网页测试中...... 主要研究方向为第三代半导体材料与发光器件(氧化镓材料、氮化镓系紫外、蓝光、绿光及黄光LED,新型氮化硼半导体材料)、氮化镓高电子迁移率电力电子器件(HEMT器件及传感器件)及耐高温、耐辐照探测器件(粒子探测器件、X射线探测器等)

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