双束聚焦离子束
双束聚焦离子束
负责人员
史淑艳
存放地址
主校区厚义楼(材料系楼)129-1
联系电话
13591743852
仪器编号
2019A4C5
规格
Helios G4 UX
生产厂家
赛默飞
型号
Helios G4 UX
制造国家
美国
分类号
03210726
出厂日期
2019-01-04
购置日期
2019-11-29
入网日期
2018-12-14
主要规格及技术指标

离子束:
1.液态Ga离子源;
2.加速电压:500V-30kV;
3.束流强度:0.1pA-65nA;
4.交叉点分辨率:4.0nm @ 30kV
5. 配备W、C和Pt沉积气体。
6. 配备增强刻蚀气体I2和XeF。

电子束:
1.分辨率:0.6nm @ 15kV;0.7nm @ 1kV; 1.0 nm @ 500V;
2.加速电压:200V-30kV;
3. 样品室:内径379mm ;
4. 样品台:五轴马达驱动样品台;

主要功能及特色

用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备微纳结构。高质量定点TEM样品制备。化学和晶体结构三维形态分析。离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积;高分辨扫描电镜功能可对离子束加工试样进行实时观测。

主要附件及配置

EDS 牛津X-Max 80
EBSD 牛津NordlysMax3

材料学院-129
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