张克雄

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研究领域

  1. 氮化镓、碳化硅、氮化铝、氧化镓等宽禁带半导体(第三代半导体)和超宽禁带半导体

  2. 功率电子器件(电力电子器件)、智能功率集成电路和高压功率集成电路、电力电子技术

  3. 半导体探测器件和集成系统

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